10.3321/j.issn:0253-2239.2007.12.023
CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS:M(M=Mg,Ni)几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究.几何结构研究对掺杂后体系晶格常量进行了优化计算,结果表明Mg和Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变.进一步研究了掺杂对体系电子结构的影响,能带结构和电子态密度分析表明由于Ni 3d电子的引入使CdS:Ni成为半金属铁磁半导体,而Mg 3s电子的引入CdS:Mg带隙变宽.另外,体系掺杂后,吸收系数分析表明掺杂导致吸收峰在可见光波长区域变化显著,且掺Ni导致吸收峰进一步向长波方向移动.
光学材料、电子结构、光学性质、密度泛函理论
27
TN304.2(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划纳米专项2003AA302160;电子信息产业发展基金
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
2225-2228