常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究

摘要：

在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化.采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜.用光学显微镜观察表面形貌,结果显示有带晶向特征的微裂纹,裂纹密度为100 cm-1.依据X射线晶体衍射的结果,薄膜结晶质量良好,呈C轴高度择优取向.用双晶X射线衍射得到(002)面的ω扫描半峰宽为1.37°.温度10 K时光致发光谱(PL)观察到自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.结果表明,金属有机化学气相沉积法方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜时,Ag是一种有效的缓冲层.

关键词：薄膜光学、氧化锌、Ag、Si衬底、金属有机化学气相沉积法

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分类号：O481(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA302160;国家信息产业电子发展基金2004124

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1115-1118