利用梯度掺杂获得高量子效率的GaAs光电阴极

摘要：

获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向.对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1 μm分子束外延生长的反射式GaAs发射层,设计了一种从体内到表面掺杂浓度由高到低分布的新型梯度掺杂结构.掺杂浓度的范围从1×1019cm-3到1×1018cm-3,并利用(Cs,O)激活技术制备了GaAs光电阴极.光谱响应测试曲线显示,与传统均匀掺杂的GaAs光电阴极相比,梯度掺杂的GaAs光电阴极的量子效率在整个波段都有提高,积分灵敏度可达1580 μA/lm,且具有更好的稳定性.讨论了这种新型GaAs光电阴极获得更高量子效率的内在机理.该设计结构是现实可行的,且具有很大发展潜力,它为国内发展高性能GaAs光电阴极提供了一条重要途径.

关键词：光电子学、GaAs光电阴极、量子效率、梯度掺杂、激活、光谱响应、积分灵敏度

所属期刊栏目：25

分类号：TN214(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防科技预研基金404050501D

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1411-1414