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10.3321/j.issn:0253-2239.2005.08.015

溶胶-凝胶法制备Ce3+掺杂纳米SiO2材料光致发光研究

引用
通过溶胶-凝胶技术制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,并经较低温度下煅烧,研究其光致发光(PL)性能.X射线衍射(XRD)及透射电子显微镜(TEM)测试结果表明该纳米材料具有非晶态结构,颗粒尺寸为20~30 nm.对其光致发光谱的测定显示:经450℃低温煅烧,未掺杂SiO2样品的光致发光谱明显为多峰的宽带结构,而微量Ce3+掺杂的样品在230 nm激发下存在着唯一的一个很强的、主峰位于346 nm左右的紫外发光峰,与未掺杂SiO2及Cu2+掺杂SiO2样品的比较表明该发光峰并非常见的Ce3+离子的d-f跃迁产生的特征发光带,而是起源于SiO2中的某种本征缺陷中心.通过不同煅烧温度以及不同Ce3+离子掺杂量对346 nm发光峰强度的影响,讨论该发光峰起源可能的结构模型.

光学材料、Ce3+掺杂SiO2、溶胶-凝胶技术、纳米SiO2

25

TN304(半导体技术)

合肥工业大学校科研和教改项目

2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1081-1086

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0253-2239

31-1252/O4

25

2005,25(8)

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