10.3321/j.issn:0253-2239.2004.11.027
一维光子晶体掺杂缺陷模研究
用特征矩阵法计算了光波在包含多种掺杂缺陷的一维光子晶体中的传播规律,与不包含缺陷的结构相比较,在禁带中形成缺陷模.缺陷模的位置、数目和强度不仅和缺陷的产生方式有关,还和缺陷位置处的光学厚度及折射率的变化有关.当掺杂缺陷的位置呈等间距时,相应缺陷模也呈等间距排列.随着掺杂缺陷光学厚度的变化,缺陷模的位置、数目也随之变化.保持掺杂缺陷光学厚度不变,掺杂缺陷折射率的变化将会引起缺陷模强度的变化,并存在一个最大值.缺陷模的出现一般使带隙加宽,尤其是掺杂介质的折射率与周期介质的折射率差别较大时更加明显.掺杂空气介质时可使缺陷模的透射率近似为1.
光电子学、波动光学、光子晶体、特征矩阵法、缺陷模
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O436(光学)
2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1557-1560