In掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究

摘要：

采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜.掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征,分析了In掺杂对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.与未掺杂ZnO薄膜相比,掺In ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,同时样品的晶格失配较小,与标准ZnO粉末样品之间的晶格失配仅为0.16%;掺In ZnO薄膜表面平滑,表面最大不平整度为7 nm.在掺In样品的光致发光谱中观察到了波长位于415 nm和433 nm处强的蓝紫光双峰,对掺In样品的蓝紫双峰的发光机理进行了讨论,并推测出该蓝紫双峰来源于In替位杂质和Zn填隙杂质缺陷.

关键词：薄膜光学、ZnO薄膜、In掺杂、光致发光谱、射频反应溅射

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

资助基金：甘肃省自然科学基金ZS011-A25-050-C

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1459-1462