10.3321/j.issn:0253-2239.2004.08.009
半导体材料的激光辐照效应计算和损伤阈值分析
在激光对抗中,探测器容易受到激光损伤,为此研究了连续强激光对半导体材料的损伤机理,建立了氧碘化学激光器辐照InSb圆板型靶材的二维物理模型.在圆柱坐标系中利用积分变换法,求解热传导和热弹性力学方程组,得到由激光辐照引起的温度场和热应力场的瞬态分布.经过严格的理论分析,计算出InSb材料的激光破坏阈值,讨论了不同的辐照时间和光斑半径对破坏阈值的影响.研究发现其破坏形态为熔融破坏,一般不会出现解理或炸裂现象,这一结果与相关实验报道一致.最后分析了与温度有关的非线性参量对损伤阈值的影响.
激光物理、激光辐照效应、温度场、应力场、损伤阈值、非线性效应
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O437(光学)
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1057-1061