10.3321/j.issn:0253-2239.2004.07.007
热致晶化高反射率SbOx薄膜的结构分析和光学性质
利用直流磁控反应溅射法制备了SbOx薄膜,利用X射线衍射分析仪和光谱仪分别研究了这种薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化,并通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热实验测出不同加热速度条件下结晶峰温度,研究了这种薄膜的结晶动力学.发现沉积态SbOx薄膜为非晶态,非晶态SbOx薄膜在热致晶化过程中发生了两种变化,分别对应为较低温度下Sb晶体和较高温度下立方Sb2O3相的生成.退火后晶态薄膜中出现了单质Sb和Sb2O3,300℃退火后Sb2O3相含量最大.晶态薄膜的反射率均高于沉积态,在晶态薄膜中200℃退火的薄膜反射率最大.
光存储、SbOx薄膜、热致晶化、光学性质、示差扫描量热
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O484(固体物理学)
国家自然科学基金60207005
2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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