50 nm分辨力极端紫外光刻物镜光学性能研究

摘要：

极端紫外光刻(EUVL)作为实现100～32 nm特征尺寸微细加工的优选技术,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键.利用光学设计软件CODE V对6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析,其分辨力可以实现50 nm,曝光面积为26 mm×1 mm.结果表明,光学性能对曝光场点的依赖关系.在全曝光场中进行了光学性能分析,其最大畸变为3.77 nm,最大波面差为0.031λ(均方根值),该缩小投影物镜完全可以满足下一代极端紫外光刻机的性能要求.

关键词：应用光学、光学设计、极端紫外光刻、下一代光刻

所属期刊栏目：24

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院引进国外杰出人才基金

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：865-868