10.3321/j.issn:0253-2239.2004.04.002
ZrO2薄膜残余应力实验研究
采用ZYGO MarkⅢ-GPI数字波面干涉仪对电子束蒸发方法制备的ZrO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积温度、沉积速率等工艺参量对ZrO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:随着沉积温度及沉积速率的升高,ZrO2薄膜中残余应力状态由张应力变为压应力,且压应力值随着沉积温度升高而增大.同时用X射线衍射技术测量分析了不同沉积条件下ZrO2薄膜的微结构组织,探讨了ZrO2薄膜微结构与其应力的对应关系.
薄膜物理、残余应力、ZrO2薄膜、沉积温度、沉积速率
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O484.1(固体物理学)
2004-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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