激光二极管抽运的GaAs被动Q开关Nd∶YVO4激光器

摘要：

利用固体可饱和吸收体砷化镓(GaAs)作为被动调Q元件,实现了激光二极管抽运平凹腔掺钕钒酸钇(Nd∶YVO4)激光调Q运转,详细测量了砷化镓被动调Q Nd∶YVO4激光输出特性,获得脉宽15 ns,重复频率470 kHz,光束质量\%M2=1.31的激光输出,调Q激光运转阈值为500 mW,并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程,讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系,理论计算结果与实验结果相一致.

关键词：激光器、被动调Q、可饱和吸收体、砷化镓

所属期刊栏目：23

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：326-329