10.3321/j.issn:0253-2239.2002.10.025
硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd/m2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区,表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属绝缘层半导体(MIS)隧道发光结.利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释.
金属绝缘层金属绝缘层半导体、双势垒、发光特性、共振隧穿
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O482.31:TN383+.1(固体物理学)
国家自然科学基金69576006;东南大学校科研和教改项目9206001084
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1275-1278