GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析

摘要：

以温度梯度法生长LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体.但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体,使样品上下两部分的结晶质量变差.

关键词：GaN、LiGaO2、温度梯度法

所属期刊栏目：22

分类号：O782(晶体生长)

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：761-764