10.3321/j.issn:0253-2239.2002.04.027
γ射线辐照对类金刚石薄膜中氢含量的影响
用射频等离子体方法在玻璃基底上制备了类金刚石(DLC)薄膜.采用拉曼光谱、可见紫外近红外光谱、红外光谱等手段对经γ射线(其平均能量为1.25 MeV)辐照后的类金刚石薄膜中氢含量及其变化进行了分析.结果表明,随γ射线辐照剂量的增加,薄膜中SP3C-H键数量明显减少,与此同时,薄膜中氢含量也随之减少.当辐照剂量达1×105 Gy时,SP3C-H键减少了约50%.利用光学带隙数据、完全抑制网络(FCN)理论及相关计算得出膜中氢含量为10%~25%,且其含量随辐照剂量的增加而减少.随辐照剂量增加,类金刚石薄膜附着力增加及红外透过率的降低进一步验证了上述结论的正确性.
类金刚石薄膜、γ射线辐照、光学带隙、完全抑制网络理论、氢含量
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O484.5(固体物理学)
航空基金98G51124
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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