GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究

摘要：

采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品.激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品(400℃,60 min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为9.5 cm-1,对应薄膜中GaAs纳米晶粒平均粒径约为3 nm.样品的室温吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与GaAs块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝移,蓝移量为1.78 eV,而且在吸收光谱上还出现了若干可分辨的吸收峰.

关键词：半导体纳米晶、GaAs、薄膜、光谱性质

所属期刊栏目：20

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69806008;广东省博士启动基金970716

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：847-851