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10.3321/j.issn:0253-2239.2000.06.005

GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

引用
报道了用半导体材料GaAs实现氙灯抽运Nd:YAG激光器的被动调Q运转,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量.从GaAs的能级结构出发,理论上研究了GaAs材料的饱和吸收原理,建立了调Q激光器速率方程并给出了数值解,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论.

GaAs材料、被动调Q、Nd:YAG激光器、激光特性

20

TN2(光电子技术、激光技术)

高等学校博士学科点专项科研项目98042202;山东大学校科研和教改项目

2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

744-749

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光学学报

0253-2239

31-1252/O4

20

2000,20(6)

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