GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

摘要：

报道了用半导体材料GaAs实现氙灯抽运Nd:YAG激光器的被动调Q运转,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量.从GaAs的能级结构出发,理论上研究了GaAs材料的饱和吸收原理,建立了调Q激光器速率方程并给出了数值解,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论.

关键词：GaAs材料、被动调Q、Nd:YAG激光器、激光特性

所属期刊栏目：20

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目98042202;山东大学校科研和教改项目

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：744-749