用于0.35 μm接触孔图形相移掩模研究

摘要：

基于霍普金斯(Hopkins)理论, 通过计算0.35 μm方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模、部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模在硅片表面空间像的光强分布, 找出了适合于各种相移掩模的最佳参数. 其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显, 尤其在相干因子(σ)较小时更是如此.

关键词：相移掩模、光刻分辨率、焦深

所属期刊栏目：20

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2008-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：543-547