含磁场耦合忆阻神经网络放电行为研究

摘要：

本文研究复杂神经网络的连接拓扑和耦合强度对其放电行为的影响,以含磁场耦合忆阻Hodgkin-Huxley (HH)神经元为节点,以神经元之间的连接为边,建立Newman-Watts (NW)型小世界神经网络,并通过改变连接拓扑概率和耦合强度研究神经网络放电模式.研究发现:对于一个给定的耦合强度,当连接拓扑概率接近于零时,神经网络没有放电行为;当连接拓扑概率大于阈值时,网络中的神经元会出现放电现象,而且随着连接拓扑概率p的进一步增大,放电强度变得更大.研究结果表明,连接拓扑概率p可以诱导和增强神经网络的电活动,可望为理解真实耦合神经元的集群动力学提供有益的见解.

关键词：Hodgkin-Huxley神经网络、忆阻器、放电行为、Newman-Watts小世界

所属期刊栏目：38

分类号：O317(理论力学（一般力学）)

资助基金：国家自然科学基金;广西研究生教育创新计划

在线出版日期：2020-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-24