低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计

摘要：

本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源.设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比.电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8 V,仿真结果表明:电路在-40～130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154 V,电源抑制比在10 Hz处为-76 dB,在100 kHz处为-85 dB,在15 MHz处为-63 dB.本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值.

关键词：带隙基准电压源、电源抑制比、温度系数、动态阈值MOS管

所属期刊栏目：37

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61361011;广西高等学校优秀中青年骨干教师培养工程GXQG022014002;广西自然科学基金2017GXNSFAA198363

在线出版日期：2019-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：125-132