自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶
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10.3969/j.issn.1001-6600.2008.04.026

自蔓延高温合成β-Si3N4棒晶

引用
以MgSiN2作为生长助剂自蔓延高温合成β-Si2N4棒晶,并对其生长机理进行探讨.结果表明,添加少量MgSiN2以制备出高长径比β-Si2N4棒晶,而过多的MgSiN2不利于β-Si3N4棒晶生长.自蔓延燃烧过程中,MgSiN2与原料表面的氧化硅形成Mg-Si-O-N液相,促使β-Si2N4以气-液-固机理快速生长.

自蔓延高温合成、β-Si3N4棒晶、MgSiN2

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TQ174

广西科学研究与技术开发计划应用基础专项基金资助项目0731007;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金资助项目SKL200707SIC

2009-03-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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广西师范大学学报(自然科学版)

1001-6600

45-1067/N

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2008,26(4)

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