10.3760/cma.j.issn.1673-4181.2008.02.003
LTP的钙离子通道机制:VDCC LTP和NMDA LTP
长时程增强(LTP)与学习记忆机制关系密切.长时程增强的产生依赖于钙离子通道的活动特性,Ca2+经不同的钙离子通道内流引发的长时程增强对应不同的记忆作用.综述了通过N-甲基-D-天门冬氨酸(NMDA)受体钙离子通道和电压依赖性钙离子通道(VDCC)活动产生LTP及其各自对应的记忆作用,还介绍了以低频刺激方式产生长时程增强的研究实例.
长时程增强、记忆、N-甲基-D-天门冬氨酸受体通道、电压依赖性钙离子通道、低频刺激
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R318;TP183(医用一般科学)
国家自然科学基金30770545;教育部高校博士点专项研究基金043800311
2008-06-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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