LTP的钙离子通道机制:VDCC LTP和NMDA LTP

摘要：

长时程增强(LTP)与学习记忆机制关系密切.长时程增强的产生依赖于钙离子通道的活动特性,Ca2+经不同的钙离子通道内流引发的长时程增强对应不同的记忆作用.综述了通过N-甲基-D-天门冬氨酸(NMDA)受体钙离子通道和电压依赖性钙离子通道(VDCC)活动产生LTP及其各自对应的记忆作用,还介绍了以低频刺激方式产生长时程增强的研究实例.

关键词：长时程增强、记忆、N-甲基-D-天门冬氨酸受体通道、电压依赖性钙离子通道、低频刺激

所属期刊栏目：31

分类号：R318;TP183(医用一般科学)

资助基金：国家自然科学基金30770545;教育部高校博士点专项研究基金043800311

在线出版日期：2008-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：74-77