异类叠层基电荷陷阱存储器件的性能研究

摘要：

采用脉冲激光沉积系统制备了Hf0.5Si0.5O2/Zr0.3Si0.7O2异类叠层薄膜基电荷陷阱存储器件.结果表明,经过高温退火处理,异类叠层基电荷陷阱存储器件表现出优异的电荷存储窗口、数据保持能力和瞬时写入/擦除速度.这主要归因于高温退火处理减小了异类叠层存储层中的浅能级缺陷密度,提高了叠层结构的界面陷阱密度,而且叠层结构形成的层间势垒,有效抑制了电子向衬底和电极方向的泄露.

关键词：脉冲激光沉积、异类叠层、存储器

所属期刊栏目：44

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：河南省科技攻关项目;河南省高等学校重点科研项目

在线出版日期：2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,43