20MnCr5HHA材料残余奥氏体含量控制的研究
本文通过研究不同热处理工艺下20MnCr5HHA材料的残余奥氏体含量,分析了三种工艺条件下残余奥氏体含量的影响因素.研究结果表明:渗碳+二次加热淬火工艺可有效降低零件表面的残余奥氏体含量,最终将20MnCr5HHA材料渗碳热处理后的残余奥氏体含量控制在15%以内,满足了国外客户的需求.
20MnCr5HHA;渗碳;淬火;残余奥氏体
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TG142.1(金属学与热处理)
2021-11-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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