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10.3969/j.issn.1673-4971.2016.01.017

Sn4+掺杂LaNbO4陶瓷的组织结构及导电性能研究

引用
本文采用高温固相反应法制备了Sn4+掺杂LaNbO4陶瓷粉体,随后对块体的成型及烧结工艺进行优化,对组织结构、导电性能和化学稳定性进行了测试分析,最后利用第一性原理计算对水蒸气条件下的导电机理进行了研究.态密度结果、能谱成分分析及导电性能测试结果显示Sn4的最适宜掺杂量为0.5 ~1 at.%.当Sn4掺杂量为0.5 at.%时,LaNbO4陶瓷具有最高的电导率,且为纯质子导电机制.LaNbO4陶瓷具有良好的化学稳定性,且Sn元素的掺入未对LaNbO4陶瓷的化学稳定性产生影响.第一性原理计算结果显示水分子在含氧空位的LaNbO4 (010)表面上方会自发解离为质子和羟基,且倾向于在氧空位上方发生解离.

质子导体、LaNbO4陶瓷、Sn4+离子掺杂、电导率、组织结构

37

TG174.445(金属学与热处理)

2016-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共10页

67-76

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1673-4971

36-1291/TG

37

2016,37(1)

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