快速退火处理对ZrO2基电荷陷阱存储器件的影响

摘要：

采用脉冲激光沉积系统制备了(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜基电荷陷阱存储器件.通过高温快速退火处理,使(ZrO2)x(SiO2)1-x薄膜析出ZrO2纳米晶.结果表明:ZrO2纳米晶的析出能够显著提高器件的存储窗口和数据保持能力.

关键词：脉冲激光沉积、存储器件、纳米晶

所属期刊栏目：36

分类号：TG156.5;TP333(金属学与热处理)

资助基金：国家自然基金51402004;河南省科技厅项目142102210380;河南省教育厅项目15A140003,14A140008,13A140021

在线出版日期：2015-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：6-8