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10.3969/j.issn.1673-4971.2014.02.003

电源占空比对TC4合金微弧氧化生物膜层性能影响

引用
为了利用微弧氧化工艺在钛合金表面制备钙磷生物膜层,并确定该工艺电源占空比对膜层性能影响.研究了在恒电流和恒电压下,电源占空比对于膜层厚度、表面粗糙度和钙磷摩尔含量的影响规律.并利用SEM分析了不同占空比对于膜层表面形貌的影响.结果表明,恒压下随占空比增加,膜层厚度和表面粗糙度同时增加,膜层中钙磷含量增加;而恒流模式下,膜层厚度和表面粗糙度增长缓慢且呈先增加后减小趋势,膜层表面形貌、粗糙程度变化不大.故希望获得厚膜层应选择恒压模式,而恒流模式适于表面光滑膜层制备.

微孤氧化、占空比、膜层厚度、表面粗糙度

35

TG174.444(金属学与热处理)

2013年辽宁省教育厅科学研究项目项目号L2013514

2014-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

15-18

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1673-4971

36-1291/TG

35

2014,35(2)

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