TC离子渗氮

摘要：

@@ 对渗氮等离子体活性粒子的研究结果,提出了与过去完全不同的观点,即在渗氮过程中并不是离子,而是等离子体中的中性粒子撞击金属表面.正是这些中性粒子对渗氮起作用.因此不需要在被处理的工件上直接生成等离子体.这一重大发现就是"网栅"(TC)或活性屏离子渗氮的基础.这种方法比传统的加工工艺有许多优点.

机标关键词：氮等离子体、中性粒子、活性屏离子渗氮、直接生成、金属表面、加工工艺、活性粒子、撞击、网栅、基础、工件、方法、处理

所属期刊栏目：24

分类号：TG15(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-39,44