原料预处理对SiC多孔陶瓷性能的影响

摘要：

市售的工业级SiC粉体形貌不规整,粒径分布宽,烧结的SiC多孔陶瓷的孔径分布不集中.以市售工业级SiC粉体(500目)为原料,采用高温法对SiC粉体进行预处理,然后采用预处理粉体、未经预处理粉体、微粉重结晶烧结SiC多孔陶瓷.系统研究了原料预处理工艺和烧结温度对多孔SiC陶瓷微观结构、力学性能、开孔孔隙率和孔径分布等性能的影响.结果表明:表面扩散作用使得预处理后的SiC粉体的粒度分布窄、流动性更好.制备的SiC多孔陶瓷的孔径分布比更均匀,强度更高.最佳工艺为:1750℃预处理后的粉体掺入30％10000目微粉经2250℃重结晶烧结.烧结的SiC多孔陶瓷开孔率为33.02％,平均孔径为3.02μm,弯曲强度达到115.08 MPa.

关键词：预处理、烧结温度、SiC多孔陶瓷

所属期刊栏目：43

分类号：TQ174.1;TQ920.1;TM282

资助基金：湖北三峡实验室开放基金;湖北省重点研发项目

在线出版日期：2022-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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