场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜

摘要：

以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜.在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜.该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响.利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征.实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化.且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大.

关键词：非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、金属诱导晶化、等离子体增强化学气相沉积

所属期刊栏目：31

分类号：TM2;TG1

资助基金：材料复合新技术国家重点实验室武汉理工大学开放基金2010-KF-9

在线出版日期：2010-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,31