10.3963/j.issn.1674-6066.2008.02.010
层状类钙钛矿(RNH3)2CuX4薄膜制备及电学性能
合成了一种新的有机无机层状类钙钛矿(RNH3)2CuX4半导体薄膜,通过研究发现该薄膜的载流子迁移率的大小与有机组元的选择有关,有机组元的选择决定了产物在(002l-)上的择优取向度,而薄膜在(002l-)取向性越高,其载流子迁移率越大,该体系目前载流子迁移率达到了0.30 cm2V-1s-1,有望应用在场效应晶体管器件中作为通道材料.
钙钛矿、薄膜、载流子迁移率
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TU5(建筑材料)
2008-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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