铝作助剂热压工艺制备高纯致密Ti3SiC2材料

摘要：

原料配比为n(TiC):n(Ti):n(Si):n(Al)=2:1:1:0.2的起始混合粉料在1 300～1 400 ℃温度下,30 MPa压力下热压2 h制得高纯致密Ti3SiC2块体材料.添加适量铝作助剂显著加快Ti3SiC2的反应合成,并使Ti3SiC2在1 20 0℃的温度下大量生成,能谱仪分析表明Al在材料中均匀分布.所得Ti3SiC2颗粒为板状结晶形貌,平面内尺寸大小为3～ 8 μm.

关键词：碳化钛硅、热压、高纯致密、铝

所属期刊栏目：25

分类号：TN3;TQ1

在线出版日期：2004-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：35-37