10.3963/j.issn.1674-6066.2003.03.002
铝作助剂制备高纯致密Ti3SiC2材料
原料配比为n(TiC)∶n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)=2∶1∶1∶0.2的起始混合粉料在1 300~1 400 ℃温度下,30 MPa压力下热压2 h,和原料配比n(Ti)∶n(Si)∶n(Al)∶n(C)=3∶1∶0.2∶2的起始粉料经1 150~1 250 s放电等离子烧结都制得高纯致密Ti3SiC2块体材料.添加适量铝作助剂显著加快Ti3SiC2的反应合成.
Ti3SiC2、放电等离子烧结、热压
24
X7(废物处理与综合利用)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
4-5,8