表征射频MEMS器件S参数的夹具测试方法
传统QFP封装的射频MEMS器件的测试方法是将器件焊接至PCB板上,其焊接难度大、易破坏器件结构.针对此问题,提出了将夹具应用在射频MEMS开关测试的方法,该方法利用夹具的限位功能,基于导电膜的各向异性导电机理,即可实现QFP封装射频开关的无焊接快速测试.利用仿真软件对导电膜和PCB上的微带测试链路进行仿真,验证其可行性,搭建实验平台对射频开关进行测试.测试结果表明,该测试方法在未去嵌入下可实现对射频开关在0.1~14 GHz的S参数测试,与被测试开关手册中的S参数对比,具有较高的测试精度,可为类似QFP封装的射频MEMS器件的无损测试提供一种方便、快速压接固定的新途径.
夹具、导电膜、S参数、无损测试
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TN707(基本电子电路)
2021-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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