高压大电流MOSFET驱动器失效分析

摘要：

为了保障军工、航天设备的可靠性,必须对其采用的高压大电流金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动器器件进行可靠性筛选测试[1-2].介绍了MOS场效应晶体管制作的门电路驱动器的基本原理以及高压大电流MOSFET驱动器电路的主要参数和测试方法.重点介绍了测试设备在测试此类器件的电源电流过程,如果采用不同种类的仪表可能会产生瞬间大电流,造成器件击穿损坏的问题,面对器件这样的黑匣子,依据被测器件测试数据推理,合理解释测试过程中发生的问题,并对该类器件的击穿机理进行了失效分析,提出了如何在器件电源电流测试中避免造成器件损坏的方法,利用此方法解决此类器件的测试开发.

关键词：MOSFET、驱动器、测试方法、失效分析

所属期刊栏目：38

分类号：TN46(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：141-146