氮化镓高速电子迁移率晶体管双界面热阻测试

摘要：

热阻的准确对GaN HEMT器件寿命评价的有效性有非常大的影响.红外热像法热阻测试只能在器件未封帽时进行,不适用于封装完整的器件.利用正偏栅极电压和瞬态热阻抗分离点相结合的瞬态双界面测试法,对一款进口GaN HEMT器件开展了电学法热阻测试研究.将测试结果与红外热像法热阻测试结果进行了对比,并分析了在不同控温冷板温度和功率条件下器件热阻的变化.结果表明,双界面热阻测试能够在封装完整的情况下实现对GaN HEMT器件热阻的准确测试,在不同条件下热阻测试结果呈现一定的变化规律.

关键词：GaN HEMT、热阻、瞬态双界面测试方法

所属期刊栏目：36

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2018-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：67-70