半导体C-V测量基础——C-V测量能够提供有关器件和材料特征的大量信息

摘要：

@@ 通用测试
电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外,利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、Ill—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件,有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.

机标关键词：半导体器件、测量、基础、材料特征、信息、knowledge、结型晶体管、光电二极管、半导体参数、MOSFET结构、族化合物、特征分析、碳纳米管、光伏电池、测试、MEMS器件、显示器、其他类、双极、工艺

所属期刊栏目：28

分类号：TH1;TB3

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11