一种高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

摘要：

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理,并提出了一个工作频率为1.8GHz,输出功率为26dBm,漏极效率达到66.5%的低谐波失真BiCMOS功率放大器,为了达到设计目标,文章采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和交叉耦合反馈结构.最后用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了E类射频功率放大器的设计.

关键词：E类功率放大器、交叉耦合反馈、差分结构、BiCMOS

所属期刊栏目：25

分类号：TN722.1(基本电子电路)

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26