对InxGa1-xN／GaN量子阱相关光学性质的影响

摘要：

利用变分原理及有效质量近似，研究In组份对InxGa1-xN／GaN量子阱光学性质的影响，结果表明，考虑内电场的影响后，电子与空穴复合率减小，随着势垒层In组份的增加，激子结合能、基态振子强度增大，发光波长反而减小。

关键词：闪锌矿、内建电场、发光波长、激子结合能

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：172-172,134