10.3969/j.issn.1671-7597.2012.13.088
JFET器件精确掺杂控制技术研究
对于JFET器件而言,沟道和顶栅是JFET器件的核心,其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和R等关键参数。通过对JFET器件沟道和顶栅形成过程中,其精确掺杂控制技术的研究,实现高性自目FET器件的结构要求:即器件的顶栅结深约为100nm,顶栅的浓度比沟道德浓度高一到两个数量级。
JFET、沟道、顶栅、掺杂
TU41(土力学、地基基础工程)
2012-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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104-104,76