10.3969/j.issn.1671-7597.2012.09.073
IGBT结构设计与仿真
IGBT目前应用于很多领域,逐渐取代双极性晶体管BJT,MOSFET功率器件的许多应用领域。首次展现利用势垒调制结构作为电子抽出开关的新型高速横向BM—IGBT器件,和IGBT相比,它耐压特性更好,关断时间更短,主要讨论对于不同N-场阻区浓度和宽度和氧化层长度的BM—IGBT去穿电压。比较在不同参数下BM~1GBT的最大耐压,从而得到大于600V的耐压特性时的主要参数。
IGBT、BM-IGBT、击穿电压
TN322(半导体技术)
2012-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
72-73,192