微电子所在多晶黑硅太阳能电池研究中获得重要突破

摘要：

日前，中科院微电子研究所在多晶黑硅太阳能电池研究方面获得重要突破。黑硅是一种低反射率的硅材料，和常规的硅材料相比，它具有超强的吸收光线的能力，可用于太阳能电池产业。微电子所微电子设备研究室（八室）夏洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机（国家自然科学基金委、中科院装备项目、方向性项目支持）制备了多种微观结构的黑硅材料，在可见光波段黑硅的平均反射率为0．5％，与飞秒激光制备黑硅的反射率相当。

关键词：硅太阳能电池、微电子设备、多晶、国家自然科学基金、等离子体浸没、低反射率、离子注入技术、电子研究所

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：I0013-I0013