抗ESD的VDMOS器件的研制

摘要：

ESD是导致VMOS器件损坏的一个重要原因,通过分析VDMOS器件ESD损坏的机理,提出在VDMOS器件的内部制造ESD保护单元,为节约芯片面积,提出在VDMOS器件的栅压焊区位置制造连接栅源的齐纳二极管,通过串联齐纳二极管达到ESD保护单元一定的耐压要求.并介绍利用多晶硅来制造栅源之间的ESD保护单元,工艺简单容易实现又节约成本.

关键词：VDMOS、ESD保护、串联齐纳二极管

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2011-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-59,48