低压CMOS压控振荡器设计

摘要：

通过对LC压控振荡器原理的分析,设计了一种新型CMOS集成压控振荡器.该电路通过利用振荡器的输出产生高电压来控制开关电容阵列的开启来实现输出频率在不同频段中转换,从而提高输出频率范围和降低相位噪声.电路采用TsMc18rf工艺,用cadence的spectre工具进行仿真.结果表明:在0.6V的电源电压下,频率覆盖了2.07GHz到2.78GHz,可调控范围约为29%,总功耗约为1.8mw,1MHz频偏处相位噪声约为一120dB/Hz,满足了设计要求.

关键词：压控振荡器、低压、宽频带、电容阵列

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2008-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：30-31