10.3321/j.issn:1001-0963.2002.02.012
IC-218合金再结晶时的晶界迁移
采用TEM和ODF(取向分布函数)等手段对IC-218合金再结晶过程中的晶界迁移行为进行了研究,发现小角晶界的活动相当活跃,而一般大角晶界失去了明显可动性.TEM观察表明,大角晶界的迁移是一个界面前γ′+γ两相"溶解"于界面区,然后以不连续沉淀方式重新析出γ′+γ两相的过程;另一方面,穿过γ′+γ两相的小角晶界保持与γ相中相同的位错墙结构.
IC-218合金、γ′+γ两相合金、晶界结构、晶界迁移、再结晶
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TG132.3(金属学与热处理)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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