一种CMOS工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器

摘要：

为了有效简化表面光栅耦合器的制备工艺和降低制备难度,设计了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的高效氮化硅表面光栅耦合器,采用二维时域有限差分(2D-FDTD)算法对耦合器的结构进行了建模、优化和仿真,计算并对比了不同结构的耦合器光谱特性.研究结果表明:在标准绝缘体上硅(SOI)晶圆上,借助于CMOS后道工艺,所设计的氮化硅表面光栅耦合器在通信波长1550 nm附近的最高耦合效率为-3.36 dB,-3 dB带宽为101 nm.

关键词：表面光栅耦合器、耦合效率、集成光子器件、光学设计与制造

所属期刊栏目：46

分类号：O437.4;TN65(光学)

资助基金：国家自然科学基金;福建省教育厅项目;福建省自然科学基金项目

在线出版日期：2022-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-9