半导体脉冲激光器发展综述
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10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2021.10.001

半导体脉冲激光器发展综述

引用
半导体脉冲激光器的结构、材料、加工工艺和驱动电源特性是其性能的重要影响因素,结合脉冲宽度、输出功率和重复频率等技术指标,综述了半导体脉冲激光器的发展与研究现状,着重介绍了窄脉冲叠加直流偏置法、储能元件的应用、高速开关的级联或阵列、可编程逻辑器件的应用以及器件选型和布局创新这5种驱动电源性能提升方式,并指出目前技术存在的不足.最后,对半导体脉冲激光器的发展趋势进行了展望.

半导体脉冲激光器;脉冲宽度;输出功率;重复频率;驱动电源

45

TN365(半导体技术)

国家自然科学基金项目;广东省"领军人才"项目

2021-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1-6

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光通信技术

1002-5561

45-1160/TN

45

2021,45(10)

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