基于VAD法制备的低水峰G.657.B3光纤设计与性能研究

摘要：

为了研究G.657.B3光纤的折射率剖面结构对光学性能的影响,通过设计凹陷沟槽结构的折射率剖面和相应剖面参数(b a值、c、Δnc-和Δn+),并以适宜的气相轴向沉积(VAD)法工艺、熔融技术以及拉丝条件改善光纤的弯曲损耗,满足光纤传输所需的截止波长、模场直径和低水峰的要求.将工艺优化后所制备的光纤预制棒进行拉丝与测试,结果表明:光纤在1383 nm波长处水峰值降低至0.278 dB/km;在1550 nm、1625 nm波长处,弯曲半径为5 mm绕1圈时的宏弯典型值分别是0.081 dB、0.188 dB,完全满足ITU-T G.657.B3的指标需求.

关键词：气相轴向沉积法、光纤、折射率剖面、弯曲损耗、截止波长、羟基(OH-)、高斯分布

所属期刊栏目：45

分类号：TN929.11

在线出版日期：2021-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47