取样结构λ/8 DFB半导体激光器特性研究

摘要：

研究了基于取样光栅结构的λ/8相移DFB半导体激光器的调制特性.实验结果表明,λ/8 DFB半导体激光器单模特性良好,边模抑制比在45dB以上.在70mA的注入电流情况下,激光器的调制带宽达到16GHz,其无杂散动态范围也达到87dB/Hz2/3.

关键词：λ/8相移、取样光栅、DFB半导体激光器

所属期刊栏目：39

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-39