基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制

摘要：

基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm.测试结果表明,在850nm入射波长及3.3V的反偏电压条件下,PIN光电探测器及光电晶体管的响应度可分别达到0.01A/W和0.4A/W.

关键词：标准SiGe BiCMOS工艺、PIN光电探测器、光电晶体管

所属期刊栏目：39

分类号：TN491(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61474081

在线出版日期：2015-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4