标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)

摘要：

基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.

关键词：定向耦合器、偏振分束器、锗光电探测器、全差分、光束传播法、Ge-on-SOI

所属期刊栏目：37

分类号：TN491(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2013-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4